Penyaduran tiub elektroterma Percikan Magnetron

Penyaduran tiub elektroterma Percikan Magnetron

Magnetron sputtering ialah sejenis teknologi sputtering baharu yang dibangunkan dengan pesat pada tahun 1970-an. Ia dicirikan oleh penubuhan sasaran magnet cincin pada permukaan sasaran katod untuk mengawal pergerakan elektron sekunder. Di bawah kesan medan elektromagnet, elektron sekunder yang dihasilkan oleh pengeboman ion pada permukaan sasaran dimampatkan berhampiran permukaan sasaran untuk pergerakan siklotron, memanjangkan jarak ke anod, meningkatkan kebarangkalian perlanggaran dengan atom gas, dan dengan itu meningkatkan kadar sputtering. . Pada masa ini, Magnetron sputtering telah digunakan dalam pengeluaran perindustrian. Ini kerana kadar salutan sputtering Magnetron adalah susunan magnitud yang lebih tinggi daripada sputtering bipolar, dan ia mempunyai kelebihan kadar pemendapan yang tinggi, kenaikan suhu substrat yang rendah, dan sedikit kerosakan pada filem. Pada tahun 1974, Chapin mencipta sasaran sputtering Magnetron planar yang sesuai untuk aplikasi industri, yang menggalakkan kemasukan ke dalam bidang pengeluaran.

reaktif sputtering

Dalam kaedah sputtering, jika sasaran dijadikan kompaun untuk menghasilkan filem kompaun, komposisi filem yang dihasilkan secara amnya menyimpang dengan ketara daripada komposisi kompaun sasaran. Pada ketika ini, mencampurkan gas aktif secara aktif ke dalam gas nyahcas boleh mengawal komposisi dan sifat filem nipis yang terhasil, yang dipanggil kaedah sputtering reaktif. Ia digunakan terutamanya untuk pengeluaran filem kompaun penebat, dan boleh dicapai menggunakan dua kaedah sputtering: dwikutub DC dan RF. Peranti sebenarnya tidak jauh berbeza daripada sputtering bipolar dan sputtering RF, kecuali untuk menetapkan dua port masuk gas dan memanaskan substrat kepada 500C untuk tujuan mencampurkan gas. Sputtering adalah kaedah paling mudah untuk mengawal komposisi aloi dalam teknologi pemendapan wap fizikal. Filem aloi boleh didepositkan dengan pelbagai sasaran co sputtering, dan selagi parameter sputtering setiap sasaran dikawal, komposisi tertentu filem aloi boleh diperolehi. Filem aloi juga boleh terus terpercik menggunakan sasaran aloi tanpa sebarang langkah kawalan, dan filem aloi dengan komposisi yang sama persis dengan bahan sasaran boleh diperolehi. Walaupun pelbagai komponen aloi mempunyai pekali sputtering yang berbeza dengan ketara, semasa proses sputtering, selepas satu tempoh masa, komponen dengan kadar sputtering tertinggi mengutamakan sputtering, dan permukaan bahan sasaran akan diperkaya dengan komponen lain sehingga stabil. komposisi permukaan dicapai. Komposisi filem akhir yang diperolehi akan sama dengan bahan sasaran.

www.superbheater.com